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dsPIC30F Flash Programming Specification
DS70102K-page 42
2010 Microchip Technology Inc.
Step 18: Unlock the NVMCON to erase 1 row of data memory.
0000
200558
883B38
200AA9
883B39
MOV
#0x55, W8
MOV
W8, NVMKEY
MOV
#0xAA, W9
MOV
W9, NVMKEY
Step 19: Initiate the erase cycle.
0000
—
0000
A8E761
000000
—
000000
A9E761
000000
BSET NVMCON, #WR
NOP
Externally time ‘P13a’ ms (see Section 13.0 “AC/DC Characteristics and
Timing Requirements”)
NOP
BCLR NVMCON, #WR
NOP
Step 20: Update the row address stored in NVMADR.
0000
430307
883B16
ADD
W6, W7, W6
MOV
W6, NVMADR
Step 21: Reset device internal PC.
0000
040100
000000
GOTO 0x100
NOP
Step 22: Repeat Steps 17-21 until all rows of data memory are erased.
TABLE 11-5:
SERIAL INSTRUCTION EXECUTION FOR ERASING PROGRAM MEMORY
(EITHER IN LOW-VOLTAGE OR NORMAL-VOLTAGE SYSTEMS) (CONTINUED)
Command
(Binary)
Data
(Hexadecimal)
Description
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